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高精激光位移传感器

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产品特点

高精激光位移传感器

高精度测量,误差极低 采用先进的激光干涉技术和高分辨率光学系统,测量精度可达微米级甚至纳米级,能够精准捕捉微小位移变化,适用于对精度要求严苛的工业检测、科研实验等场景。
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非接触式测量,适应复杂环境
通过激光非接触式测量方式,避免传统接触式传感器因机械磨损导致的误差,同时可适应高温、高压、强腐蚀或高速运动等极端环境,确保长期稳定运行。
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易于集成,智能化操作
支持多种通信接口(如RS-485、EtherCAT、模拟量输出等),可轻松接入工业自动化系统;配备可视化界面或软件,实现参数配置、数据监控与远程诊断,降低操作门槛,提升使用效率。

技术参数

产品型号/高功能型DOB03-LDOB05-LDOB08-LDOB12-LDOB25-L
测定方式扩散反射
测定中心距离30mm50mm85mm120mm250mm
测定范围±4mm±10mm±20mm±60mm±150mm
光源红色半导体激光,级别1(JIS/IEC/GB/KS/FDA Laser Notice No.50/GB)
最大输出:0.39mW、投光峰波长:655nm
光束直径1.75×3.5mm
受光部CMOS图像传感器
分辨率0.5μm1.5μm2.5μm8μm20μm
线性度±0.2%F.S.
温度特性±0.08%F.S./℃
电源电压24V DC±10% 包括脉动0.5V(P-P)
电流消耗100mA以下
取样周期200μs、500μs、1ms、2ms
模拟输出电压:输出范围:0~10.5V(正常时)、11V(警告时) 输出阻抗:100Ω
电流:输出范围:3.2~20.8mA(正常时)、21.6mA(警告时)负载阻抗:300Ω以下
OUT1输出
OUT2输出
OUT3输出
判断输出或警告输出(设定切换式)
NPN晶体管集电极开路/PNP晶体管集电极开路(切换式)
最大流入电流:50mA施加电压:3~24V DC(输出一0V间)
剩余电压:2V以下当流入电流为50mA时)漏电流:0.1mA以下
PNP动作设定时>最大流出电流:50mA剩余电压:2.8V以下
(当出电流为50mA时)漏电流:0.1mA以下
输出动作0N(输出动作)时开路
短路保护配备(自动恢复式)
NP切换输入OV连接时:NPN集电极开路输出动作
电源24V DC连接时:PNP集电极开路输出动作
定时输入NPN动作设定时:连接0V时动作或者连接中动作(因设定而异)
PNP动作设定时:连接外部电源+时动作或者连接中动作(因设定而异)
PNP动作设定时:连接外部电源+时动作或者连接中动作(因设定而异)
多路输入根据输入时间进行调零、复位、内存切换、示教、保存、激光控制
NPN动作设定时:依据连接0V的时间
PNP动作设定时:依据连接外部电源+的时间
通信接口(高功能型)RS-422或RS-485
波特率:9,600/19,200/38,400/115,200bps
数据长8bit、结束位长1bit、奇偶校验无、BCC有、数据
区分:CR
显示灯激光投灯:绿色发光二极管激光投光时亮起
警告:橙色发光二极管光量不足致使无法测定的状态
输出:黄色发光二极管(显示灯数:3)输出动作时亮起
数字显示部红色发光二极管符号和5位显示
保护构造IP67(除连接器部)
污损度2
绝缘电阻DC 250V Megger 时 20MΩ以上(所有端子-壳体之间)
耐电压AC 1,000V 1分钟(所有端子-壳体之间)
耐振动耐久频率:10~55Hz(周期1分钟)双振幅:1.5mm X、Y、Z方向各2小时
耐冲击500m/s2 X、Y、Z方向各3次
周围照明度3,000lx以下(白炽灯时的受光面照明度)
周围温度-10~+45°C(注意不可结露、结冰)存储时: -20~+60°C
周围湿度35~85%RH 存储时:35~85%RH
使用高度2,000m以下
材质本体外壳:PBT、前盖:丙烯、电缆:PVC
电缆高功能型:0.5m
电缆延长高功能型:用可选电缆(另售)全长可延长至20m
紧固扭矩0.8N·m以下
重量/高功能型约70g(不包括电缆)、约110g(包括电缆)、约160g(包装)
适用标准EMC指令适用


应用场景

接线图

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